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2N6789 MOSFET CANAL N TO5 200V
2N6789 MOSFET CANAL N TO5 200V
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2N5296-TO-220 – TRANSISTOR DE PÔTENCIA
2N5296-TO-220 - TRANSISTOR DE PÔTENCIA Emissor-base tensão coletor aberto 7 V   Coletor de corrente de 4 A   2 A base atual   Total de dissipação de energia TC = 25- 36 W Temperatura da junção 150   Temperatura de armazenamento -65 ~ 150
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TRANSISTOR – 2N5886
TRANSISTOR - 2N5886
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TRANSISTOR 2N6039
2N6039 Darlington Bipolar Power Transistor
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2N5272
Transistor 2N5272
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2N404A
Transistor 2N404A
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2N5303
Transistor 2N5303
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2N4401 NPN 60VCB 40VCE 310MW 600MA 200MHZ HFE 50/100
TRANSISTOR 2N4401 NPN 60VCB 40VCE 310MW 600MA 200MHZ HFE 50/100 ENCPASULAMENTO TO92
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2N5302 NPN 30AMPER 60V 250W
2N5302 NPN 30AMPER 60V 250W
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2N5758 NPN 100V 6A 150W
TRANSISTOR 2N5758 NPN 100V 6A 150W ENCAPSULAMENTO TO3
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2N3439 NPN 1A 450VCBE 350VCO 5W
TRANSISTOR 2N3439 ENCAPSULAMENTO TO5 METALICO
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2N4391 FET CANAL 40V 50MA TO18
2N4391 FET CANAL JFET SWITCHING N CHANNEL- DEPLETION
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2N6405 2N6405 THYRISTOR SCR 16A 800V TO220AB
2N6405 THYRISTOR SCR 16A 800V TO220AB
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2N6246 RCA POWER TO-3 TRANSISTOR
2N6246 Planar Energia Transistors 15 Amp PNP;; VCEO (V) = 60   Hfe Min / max = 20/100    Max (V) = 2,50 IC (A) = 15,0;   FT Min (MHz) = 10   PT máxima (W) = 125,0   Caso Type = TO-3
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2N5294-TO-220 – TRANSISTOR DE PÔTENCIA
2N5294 Emissor-base tensão coletor aberto 7 V   Coletor de corrente de 4 A   2 A base atual   Total de dissipação de energia TC = 25- 36 W Temperatura da junção 150   Temperatura de armazenamento -65 ~ 150
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2N6080 TRANSISTOR DE RF 12,5V 540W 175MHZ
2N6080 MICROSEMI FREQUENCIA 175MHZ VOLTAGEM 12.5V POWER OUT 4-40W
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2N5138 PNP 30V AMPLIFICADOR BAIXO SINAL
2N5138 PNP, P1 vs, 30V, Amp de Baixo Nível
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RCA8051
RCA8051
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2N5551C
2N5551C SI NPN transistor de alta tensão;; pacote = TO-92
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2N3546
2N3546 TRANSISTOR SI PNP
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